중국 극자외선(EUV) 광원 연구개발 성공

 중국 반도체 기술 혁신

- 연구팀의 성과: 중국 하얼빈공업대학 항공우주학원 자오융펑 교수의 연구팀이 네덜란드 ASML이 독점하고 있던 반도체 칩 제조의 핵심 설비인 13.5나노 극자외선(EUV) 광원 연구개발에 성공하였다.이 성과는 홍콩사우스차이나모닝포스트(SCMP)에 의의해25년 1월 19일 보도되었다.

- 기술의 중요성: 이 연구는 중국의 반도체 산업에 중대한 혁신을 가져올 것으로 기대된다.

기술 혁신의 중요성

- 기술 개발: 자오 교수 연구팀이 개발한 방전 플라즈마 EUV 광원 기술은 2024년 헤이룽장성 대학 및 연구기관 과학기술 혁신성과 전환 대회에서 1등상을 수상하였다.

- 기술 혁신의 의미: 이 기술은 중국의 반도체 산업에서 국산화를 위한 중요한 발판이 될 것이다.

노광장비의 역할

- 노광장비의 기능: 노광장비는 극자외선 파장의 광원을 사용하여 반도체 웨이퍼에 미세한 회로 패턴을 그려 넣는 설비이다.

- 미세화의 필요성: 10 나노 이하 반도체 미세화에 필수적인 요소로, 반도체 산업의 발전에 중요한 역할을 한다.

중국의 반도체 산업 전망

- 수출금지 조치의 영향: 중국은 미국의 강력한 대중 반도체 수출금지 조치로 인해 ASML의 노광장비를 확보할 수 없었다.

- 연구개발 성공의 의미: 이번 연구개발의 성공은 중국 반도체 산업에 새로운 희망을 제공하며, 노광장비의 국산화에 기여할 수 있게 되었다.

기술 비교: LPP vs LDP

- 기술 방식: 자오 교수팀은 전기에너지를 플라즈마로 직접 전환하여 13.5 나노 극자외선을 생성하였다.

- LPP와 LDP의 차이:

  1. LPP (Laser Produced Plasma): ASML이 채택한 방식으로, 고성능 레이저와 FPGA 칩을 사용하여 플라즈마를 생성한다.

  2. LDP (Laser-induced Discharge Plasma): 자오 교수팀이 선택한 방식으로, 에너지 전환 효율이 높고 전기 소비가 적어 원가 절감과 기술 난이도가 낮다는 장점이 있다.

자체 기술의 중요성

- 기술 의존도 감소: ASML의 노광장비를 사용하기 위해서는 EPGA 칩을 수입해야 하지만, 자오 교수팀이 개발한 방법은 중국의 자체 기술로 운영할 수 있어 외국 기술 의존을 획기적으로 줄일 수 있다.

- 국산화의 필요성: 이러한 기술 개발은 중국의 반도체 산업에서 자립적인 기술 개발의 중요성을 강조한다.

향후 과제와 기술 한계

- 향후 과제: 자오 교수팀이 개발한 신기술은 파라미터 최적화와 방전 시간이 향후 과제로 남아 있다.

- 기술 한계: 일부 전문가들은 LDP 기술이 파워 출력에 제한이 있을 것이라는 견해를 제시하고 있다.

연구의 의의와 미래

- 연구 시작 시점: 자오 교수는 2008년부터 방전 플라즈마 EUV 광원 개발 연구에 착수하였다.

- 중요한 걸음: 이번 연구 성과는 중국 국산 노광장비 개발이라는 장정에서 중요한 걸음을 내디뎠다는 의미가 있다.

- 미래 전망: 이 연구는 중국의 반도체 산업 발전에 긍정적인 영향을 미칠 것으로 기대된다.