Today and Tommorrow

  미국의 대중국 첨단 부품 수출제재와 중국의 기술자립 현상에 대한 견해 미국의 대중국 첨단 부품 수출제재가 역설적으로 중국의 기술자립을 촉진하는 현상은 정말 흥미로운 아이러니입니다. 이 현상에 대해 몇 가지 관점에서 살펴보겠습니다. 역설적 효과의 원인 위기의식과 국가적 결집 미국의 제재가 중국 내에서 기술 자립의 필요성에 대한 강한 공감대를 형성했습니다. 중국 정부는 이를 계기로 반도체 등 핵심 기술 분야에 대규모 투자를 단행하고 있습니다. 2024년에는 3,440억 위안(약 60조 원)의 제3기 반도체 지원기금을 조성했습니다. 우회로 개발과 대안 기술 모색 제재를 받은 중국 기업들은 생존을 위해 자체 기술 개발에 총력을 기울이게 되었습니다. 예를 들어, 화웨이는 제재 이후 자회사인 하이실리콘을 통해 반도체 설계에서 큰 성과를 내고 있습니다. 기업 간 협력 강화 중국 기업들은 공동 연구개발을 통해 비용을 절감하고 효율을 높이는 방향으로 전환했습니다. 중웨이(AMEC)의 CEO는 "수백 개 기업이 공동으로 노력한 결과 기본적인 자급자족을 이룰 수 있게 되었다"고 언급했습니다. 가시적 성과 반도체 기술 발전 SMIC는 미국의 제재에도 불구하고 7나노 반도체 생산에 성공했습니다. YMTC는 232단 3D 낸드플래시를 출시하여 세계 최고 수준으로 평가받고 있습니다. 부품 국산화율 제고 중국 반도체 장비 회사들은 식각 장비 부품의 60%, 금속 유기 화학진공 증착 장비 부품의 80%를 중국 내에서 조달하는 수준에 도달했습니다. 한계점 물론 중국의 기술 자립에는 여전히 한계가 있습니다: 핵심 기술 격차 노광 시스템, 이온 주입 공정, 전자 빔 검사 시스템 등 일부 핵심 기술에서는 여전히 큰 격차가 존재합니다. 양산 능력의 한계 기술 개발에는 성과를 냈지만, 공급망 분리와 자체 반도체 장비 제조 능력 부족으로 양산에는 어려움을 겪고 있습니다. 시사점 이러한 현상은 국제 관계와 기술 발전에 중요한 시사점을 제공합니다: 기술 제재의 양면성 단기적으로는 목표...

 중국의 반도체 자립 현실화 - 중국의 반도체 자립이 점차 현실화되고 있다. - 미국의 제재에도 불구하고 초미세 공정에 필요한 장비와 기술 생태계를 자국 내에 구축하고 있는 상황이다. - 이러한 발전은 국내 반도체 업체의 위기감을 증대시키고 있다. EUV와 GAA 기술 개발 - 15일 업계에 따르면, 중국은 극자외선(EUV) 노광장비와 게이트올어라운드(GAA) 기술을 자체적으로 개발하는 데 성공하였다. - EUV 기술을 개발한 중국 화웨이는 내년 양산을 목표로 하고 있으며, 올해 3분기 시험 생산을 앞두고 있다. - 베이징대 연구팀이 개발한 2D GAA 기술은 국제학술지 **'네이처 머티리얼스'**에 게재되었다. 중국의 반도체 공정 변화 - 중국은 그동안 레거시 공정에 집중해 왔으나, 이제는 EUV 노광장비와 GAA 기술을 자체적으로 개발하게 되었다. - EUV 노광장비는 반도체 웨이퍼에 극자외선을 쬐어 나노 단위로 회로를 그리는 장비로, 초미세 공정에서 필수적이다. - GAA 기술은 기존 핀펫(FinFET)보다 전력 효율과 성능이 뛰어난 트랜지스터로, 초미세 공정에서 중요한 역할을 한다. 중국의 반도체 기술 도입 효과 - 중국 반도체 업체가 EUV 장비와 GAA 기술을 도입할 경우, 수율과 생산성, 성능 등을 크게 향상시킬 수 있다. - 이러한 기술 도입은 전 세계 반도체 업계에 미치는 영향이 클 것으로 예상된다. 국내 반도체 기업의 위기감 - 중국이 최첨단 공정에 뛰어들 수 있다는 점에서 국내 반도체 업체의 위기감이 커지고 있다. - 삼성전자와 SK하이닉스는 초미세 공정에서 EUV 기술을 활용하고 있으며, 이는 경쟁력을 유지하기 위한 중요한 요소이다. 중국의 EUV·GAA 상용화 전망 - 현재 국내 반도체 기업은 초미세 공정에 EUV를 활용하고 있다. - 삼성전자는 10나노급 3세대(1z) D램부터, SK하이닉스는 10나노급 4세대(1a) D램부터 EUV 장비를 도입하였다. - 이러한 기술 도입은 국내 반도체 기업의 경쟁력에 중요한 영향을 미...

 화웨이의 EUV 장비 개발 - 중국의 반도체 기술 발전: 중국은 첨단 반도체 생산에 필요한 극자외선(EUV) 노광장비의 자체 개발을 완료하였으며, 현재 마무리 단계에 접어들고 있다. - ASML의 독점 시장: 네덜란드의 장비회사인 ASML이 독점하고 있는 EUV 시장에 균열이 발생하고 있으며, 이는 중국의 반도체 굴기를 더욱 견고하게 만드는 요소로 작용하고 있다. - 미국 제재의 영향: 미국의 제재가 중국의 반도체 자립도를 높이는 데 기여하고 있다는 지적이 있다. 이는 중국이 EUV를 도입함으로써 최첨단 칩 생산이 가능해짐을 의미한다. 화웨이의 시범 생산 계획 - 시범 생산 일정: 화웨이는 2023년 3분기에 자체 개발한 EUV 장비를 활용한 시범 생산에 돌입할 예정이다. - 연구개발 센터: 화웨이는 현재 둥관 캠퍼스에서 EUV 장비를 테스트하고 있으며, 2026년 본격 양산을 목표로 하고 있다. - 자체 기술 강화: 화웨이는 자회사인 하이실리콘과 함께 자체 모바일 AP를 생산하는 등 반도체 기술을 강화하고 있다. LDP 기술의 장점 - LDP 기술 설명: 화웨이의 EUV 장비는 레이저 유도 방전 플라즈마(LDP) 기술을 사용하고 있다. - ASML의 기술과 비교: ASML은 고성능 레이저로 플라즈마를 만드는 레이저 생성 플라즈마(LPP) 방식을 채택하고 있다. - 에너지 효율성: 외신에 따르면, 화웨이의 LDP 방식은 LPP보다 에너지 효율성이 높고 저렴하다고 알려져 있다. - 해외 의존도 감소: 중국의 자체 기술로 운영할 수 있어 해외 의존도를 줄일 수 있으며, 기술 난도도 낮아진다. 중국의 반도체 기술 격차 해소 - EUV 장비의 중요성: EUV 장비는 7나노(나노미터) 이하의 최첨단 칩을 만들기 위해 필수적인 장비이다. - 기술 격차 해소: ASML은 그동안 자사 장비가 없는 중국을 두고 글로벌 업체들에 비해 10~15년 뒤처져 있다고 평가했으나, 중국의 EUV 장비 개발로 기술 격차가 줄어들게 되었다. - 전 세계 반도체 업계에 미치는 영향:...