중국의 반도체 자립 현실화
중국의 반도체 자립 현실화
- 중국의 반도체 자립이 점차 현실화되고 있다.
- 미국의 제재에도 불구하고 초미세 공정에 필요한 장비와 기술 생태계를 자국 내에 구축하고 있는 상황이다.
- 이러한 발전은 국내 반도체 업체의 위기감을 증대시키고 있다.
EUV와 GAA 기술 개발
- 15일 업계에 따르면, 중국은 극자외선(EUV) 노광장비와 게이트올어라운드(GAA) 기술을 자체적으로 개발하는 데 성공하였다.
- EUV 기술을 개발한 중국 화웨이는 내년 양산을 목표로 하고 있으며, 올해 3분기 시험 생산을 앞두고 있다.
- 베이징대 연구팀이 개발한 2D GAA 기술은 국제학술지 **'네이처 머티리얼스'**에 게재되었다.
중국의 반도체 공정 변화
- 중국은 그동안 레거시 공정에 집중해 왔으나, 이제는 EUV 노광장비와 GAA 기술을 자체적으로 개발하게 되었다.
- EUV 노광장비는 반도체 웨이퍼에 극자외선을 쬐어 나노 단위로 회로를 그리는 장비로, 초미세 공정에서 필수적이다.
- GAA 기술은 기존 핀펫(FinFET)보다 전력 효율과 성능이 뛰어난 트랜지스터로, 초미세 공정에서 중요한 역할을 한다.
중국의 반도체 기술 도입 효과
- 중국 반도체 업체가 EUV 장비와 GAA 기술을 도입할 경우, 수율과 생산성, 성능 등을 크게 향상시킬 수 있다.
- 이러한 기술 도입은 전 세계 반도체 업계에 미치는 영향이 클 것으로 예상된다.
국내 반도체 기업의 위기감
- 중국이 최첨단 공정에 뛰어들 수 있다는 점에서 국내 반도체 업체의 위기감이 커지고 있다.
- 삼성전자와 SK하이닉스는 초미세 공정에서 EUV 기술을 활용하고 있으며, 이는 경쟁력을 유지하기 위한 중요한 요소이다.
중국의 EUV·GAA 상용화 전망
- 현재 국내 반도체 기업은 초미세 공정에 EUV를 활용하고 있다.
- 삼성전자는 10나노급 3세대(1z) D램부터, SK하이닉스는 10나노급 4세대(1a) D램부터 EUV 장비를 도입하였다.
- 이러한 기술 도입은 국내 반도체 기업의 경쟁력에 중요한 영향을 미친다.
삼성전자와 SK하이닉스의 대응
- 삼성전자는 현재 3나노 공정에서 GAA 기술을 활용하고 있으며, TSMC는 향후 2나노 공정에 이를 사용할 방침이다.
- 이러한 대응은 중국의 기술 발전에 대한 경쟁력 유지를 위한 전략이다.
중국 기업의 시장 점유율 변화
- 중국의 SMIC와 같은 기업이 EUV·GAA를 도입할 경우, 한국 파운드리 점유율에 타격이 있을 것으로 보인다.
- 시장조사업체 트렌드포스에 따르면, 삼성전자의 파운드리 시장 점유율은 **8.1%**로, 전분기보다 1%p 떨어졌다.
메모리 반도체 시장의 경쟁
- D램의 CXMT와 낸드플래시의 YMTC가 국내 메모리 기업을 빠르게 추격하고 있다.
- CXMT의 D램 시장 점유율은 지난해 **5%**로 증가하였으며, 올해 말에는 **12%**까지 늘어날 것으로 예상된다.
중국 기술의 상용화 지연
- 현재 중국이 개발에 성공한 EUV 노광장비와 GAA 기술은 아직 상용화되지 않았다.
- 업계 관계자는 중국이 기술을 자유자재로 활용할 경우 타격이 있을 것이라고 언급하였으나, 상용화까지는 시간이 필요하다고 강조하였다.
