중국의 반도체 자립 현실화
중국의 반도체 자립 현실화 - 중국의 반도체 자립이 점차 현실화되고 있다. - 미국의 제재에도 불구하고 초미세 공정에 필요한 장비와 기술 생태계를 자국 내에 구축하고 있는 상황이다. - 이러한 발전은 국내 반도체 업체의 위기감을 증대시키고 있다. EUV와 GAA 기술 개발 - 15일 업계에 따르면, 중국은 극자외선(EUV) 노광장비와 게이트올어라운드(GAA) 기술을 자체적으로 개발하는 데 성공하였다. - EUV 기술을 개발한 중국 화웨이는 내년 양산을 목표로 하고 있으며, 올해 3분기 시험 생산을 앞두고 있다. - 베이징대 연구팀이 개발한 2D GAA 기술은 국제학술지 **'네이처 머티리얼스'**에 게재되었다. 중국의 반도체 공정 변화 - 중국은 그동안 레거시 공정에 집중해 왔으나, 이제는 EUV 노광장비와 GAA 기술을 자체적으로 개발하게 되었다. - EUV 노광장비는 반도체 웨이퍼에 극자외선을 쬐어 나노 단위로 회로를 그리는 장비로, 초미세 공정에서 필수적이다. - GAA 기술은 기존 핀펫(FinFET)보다 전력 효율과 성능이 뛰어난 트랜지스터로, 초미세 공정에서 중요한 역할을 한다. 중국의 반도체 기술 도입 효과 - 중국 반도체 업체가 EUV 장비와 GAA 기술을 도입할 경우, 수율과 생산성, 성능 등을 크게 향상시킬 수 있다. - 이러한 기술 도입은 전 세계 반도체 업계에 미치는 영향이 클 것으로 예상된다. 국내 반도체 기업의 위기감 - 중국이 최첨단 공정에 뛰어들 수 있다는 점에서 국내 반도체 업체의 위기감이 커지고 있다. - 삼성전자와 SK하이닉스는 초미세 공정에서 EUV 기술을 활용하고 있으며, 이는 경쟁력을 유지하기 위한 중요한 요소이다. 중국의 EUV·GAA 상용화 전망 - 현재 국내 반도체 기업은 초미세 공정에 EUV를 활용하고 있다. - 삼성전자는 10나노급 3세대(1z) D램부터, SK하이닉스는 10나노급 4세대(1a) D램부터 EUV 장비를 도입하였다. - 이러한 기술 도입은 국내 반도체 기업의 경쟁력에 중요한 영향을 미...