Today and Tommorrow

 중국의 반도체 자립 현실화 - 중국의 반도체 자립이 점차 현실화되고 있다. - 미국의 제재에도 불구하고 초미세 공정에 필요한 장비와 기술 생태계를 자국 내에 구축하고 있는 상황이다. - 이러한 발전은 국내 반도체 업체의 위기감을 증대시키고 있다. EUV와 GAA 기술 개발 - 15일 업계에 따르면, 중국은 극자외선(EUV) 노광장비와 게이트올어라운드(GAA) 기술을 자체적으로 개발하는 데 성공하였다. - EUV 기술을 개발한 중국 화웨이는 내년 양산을 목표로 하고 있으며, 올해 3분기 시험 생산을 앞두고 있다. - 베이징대 연구팀이 개발한 2D GAA 기술은 국제학술지 **'네이처 머티리얼스'**에 게재되었다. 중국의 반도체 공정 변화 - 중국은 그동안 레거시 공정에 집중해 왔으나, 이제는 EUV 노광장비와 GAA 기술을 자체적으로 개발하게 되었다. - EUV 노광장비는 반도체 웨이퍼에 극자외선을 쬐어 나노 단위로 회로를 그리는 장비로, 초미세 공정에서 필수적이다. - GAA 기술은 기존 핀펫(FinFET)보다 전력 효율과 성능이 뛰어난 트랜지스터로, 초미세 공정에서 중요한 역할을 한다. 중국의 반도체 기술 도입 효과 - 중국 반도체 업체가 EUV 장비와 GAA 기술을 도입할 경우, 수율과 생산성, 성능 등을 크게 향상시킬 수 있다. - 이러한 기술 도입은 전 세계 반도체 업계에 미치는 영향이 클 것으로 예상된다. 국내 반도체 기업의 위기감 - 중국이 최첨단 공정에 뛰어들 수 있다는 점에서 국내 반도체 업체의 위기감이 커지고 있다. - 삼성전자와 SK하이닉스는 초미세 공정에서 EUV 기술을 활용하고 있으며, 이는 경쟁력을 유지하기 위한 중요한 요소이다. 중국의 EUV·GAA 상용화 전망 - 현재 국내 반도체 기업은 초미세 공정에 EUV를 활용하고 있다. - 삼성전자는 10나노급 3세대(1z) D램부터, SK하이닉스는 10나노급 4세대(1a) D램부터 EUV 장비를 도입하였다. - 이러한 기술 도입은 국내 반도체 기업의 경쟁력에 중요한 영향을 미...

 화웨이의 EUV 장비 개발 - 중국의 반도체 기술 발전: 중국은 첨단 반도체 생산에 필요한 극자외선(EUV) 노광장비의 자체 개발을 완료하였으며, 현재 마무리 단계에 접어들고 있다. - ASML의 독점 시장: 네덜란드의 장비회사인 ASML이 독점하고 있는 EUV 시장에 균열이 발생하고 있으며, 이는 중국의 반도체 굴기를 더욱 견고하게 만드는 요소로 작용하고 있다. - 미국 제재의 영향: 미국의 제재가 중국의 반도체 자립도를 높이는 데 기여하고 있다는 지적이 있다. 이는 중국이 EUV를 도입함으로써 최첨단 칩 생산이 가능해짐을 의미한다. 화웨이의 시범 생산 계획 - 시범 생산 일정: 화웨이는 2023년 3분기에 자체 개발한 EUV 장비를 활용한 시범 생산에 돌입할 예정이다. - 연구개발 센터: 화웨이는 현재 둥관 캠퍼스에서 EUV 장비를 테스트하고 있으며, 2026년 본격 양산을 목표로 하고 있다. - 자체 기술 강화: 화웨이는 자회사인 하이실리콘과 함께 자체 모바일 AP를 생산하는 등 반도체 기술을 강화하고 있다. LDP 기술의 장점 - LDP 기술 설명: 화웨이의 EUV 장비는 레이저 유도 방전 플라즈마(LDP) 기술을 사용하고 있다. - ASML의 기술과 비교: ASML은 고성능 레이저로 플라즈마를 만드는 레이저 생성 플라즈마(LPP) 방식을 채택하고 있다. - 에너지 효율성: 외신에 따르면, 화웨이의 LDP 방식은 LPP보다 에너지 효율성이 높고 저렴하다고 알려져 있다. - 해외 의존도 감소: 중국의 자체 기술로 운영할 수 있어 해외 의존도를 줄일 수 있으며, 기술 난도도 낮아진다. 중국의 반도체 기술 격차 해소 - EUV 장비의 중요성: EUV 장비는 7나노(나노미터) 이하의 최첨단 칩을 만들기 위해 필수적인 장비이다. - 기술 격차 해소: ASML은 그동안 자사 장비가 없는 중국을 두고 글로벌 업체들에 비해 10~15년 뒤처져 있다고 평가했으나, 중국의 EUV 장비 개발로 기술 격차가 줄어들게 되었다. - 전 세계 반도체 업계에 미치는 영향:...

 중국 반도체 기술 혁신 - 연구팀의 성과: 중국 하얼빈공업대학 항공우주학원 자오융펑 교수의 연구팀이 네덜란드 ASML이 독점하고 있던 반도체 칩 제조의 핵심 설비인 13.5나노 극자외선(EUV) 광원 연구개발에 성공하였다.이 성과는 홍콩사우스차이나모닝포스트(SCMP)에 의의해25년 1월 19일 보도되었다. - 기술의 중요성: 이 연구는 중국의 반도체 산업에 중대한 혁신을 가져올 것으로 기대된다. 기술 혁신의 중요성 - 기술 개발: 자오 교수 연구팀이 개발한 방전 플라즈마 EUV 광원 기술은 2024년 헤이룽장성 대학 및 연구기관 과학기술 혁신성과 전환 대회에서 1등상을 수상하였다. - 기술 혁신의 의미: 이 기술은 중국의 반도체 산업에서 국산화를 위한 중요한 발판이 될 것이다. 노광장비의 역할 - 노광장비의 기능: 노광장비는 극자외선 파장의 광원을 사용하여 반도체 웨이퍼에 미세한 회로 패턴을 그려 넣는 설비이다. - 미세화의 필요성: 10 나노 이하 반도체 미세화에 필수적인 요소로, 반도체 산업의 발전에 중요한 역할을 한다. 중국의 반도체 산업 전망 - 수출금지 조치의 영향: 중국은 미국의 강력한 대중 반도체 수출금지 조치로 인해 ASML의 노광장비를 확보할 수 없었다. - 연구개발 성공의 의미: 이번 연구개발의 성공은 중국 반도체 산업에 새로운 희망을 제공하며, 노광장비의 국산화에 기여할 수 있게 되었다. 기술 비교: LPP vs LDP - 기술 방식: 자오 교수팀은 전기에너지를 플라즈마로 직접 전환하여 13.5 나노 극자외선을 생성하였다. - LPP와 LDP의 차이:   1. LPP (Laser Produced Plasma): ASML이 채택한 방식으로, 고성능 레이저와 FPGA 칩을 사용하여 플라즈마를 생성한다.   2. LDP (Laser-induced Discharge Plasma): 자오 교수팀이 선택한 방식으로, 에너지 전환 효율이 높고 전기 소비가 적어 원가 절감과 기술 난이도가 낮다는 장점이 있다. 자체 기술의 중요성...